高度集成的GaN IC简化了小尺寸、高功率密度应用的开发

      纳微半导体宣布推出新一代集成GaN功率IC GaNSlim，旨在简化和加速小尺寸、高功率密度应用的开发。据称，GaNSlim通过将驱动、控制和保护集成在一起，以及集成的EMI控制和无损电流传感，实现最简单、最快速和最小的系统设计，所有这些都在一个高热性能专有的DPAK-4L封装中。此外，GaNSlim器件的启动电流低于10μA，与行业标准的SOT23-6控制器兼容，并消除了HV启动。

      无损电流感应等集成功能消除了外部电流感应电阻器，并优化了系统效率和可靠性。过温保护可确保系统稳健性，自动休眠模式可提高轻量化和空载效率。自主导通/关转换速率控制可最大限度地提高效率和功率密度，同时减少外部元件数量、系统成本和 EMI。

      GaNSlim采用获得专利的4引脚、高热性能、扁平、低电感DPAK封装。与传统替代方案相比，该封装可实现7°C的低温运行，支持额定功率高达500W的高功率密度设计。目标应用包括移动设备和笔记本电脑的充电器、电视电源、照明等。

      “我们的GaN重点是集成器件，以最简单的设计和尽可能短的上市时间实现高效、高性能的电源转换，”技术营销高级经理Reyn Zhan说：“我们新的 GaNSlim产品组合 - 建立在集成、易用性和低成本制造方法之上 - 继续扩大客户管道，已经确定了 50 多个新项目。”

      NV614x GaNSlim系列器件的额定电压为700V，RDS（ON）额定值为120mΩ 至330mΩ，并提供针对隔离和非隔离拓扑优化的版本。GaNSlim器件提供 20 年质保，而用于QR反激式、单级PFC、升压PFC+QR反激式以及TV电源设计的演示板可实现快速评估。